NTP18N06G

制造商编号:
NTP18N06G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
规格说明书:
NTP18N06G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 450 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 48.4W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRLB3036PBF Infineon Technologies ¥31.49000 类似
IRLZ44NPBF Infineon Technologies ¥11.67000 类似
IRLZ24PBF Vishay Siliconix ¥13.67000 类似
IRL1404ZPBF Infineon Technologies ¥22.27000 类似
IRF1010ZPBF Infineon Technologies ¥17.66000 类似

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NTP18N06G

型号:NTP18N06G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB

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