IXFA36N30P3

制造商编号:
IXFA36N30P3
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 300V 36A TO263AA
规格说明书:
IXFA36N30P3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 50.318658 50.32
10 45.222137 452.22
100 37.051293 3705.13

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, Polar3™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2040 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 347W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263(IXFA)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 50

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IXFA36N30P3

型号:IXFA36N30P3

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 300V 36A TO263AA

库存:0

单价:

1+: ¥50.318658
10+: ¥45.222137
100+: ¥37.051293
500+: ¥31.541157
1000+: ¥26.600914
2000+: ¥25.909993

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