CZDM1003N BK

制造商编号:
CZDM1003N BK
制造商:
Central美国中央
描述:
MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
规格说明书:
CZDM1003N BK说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Central(美国中央)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 150 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC @ 10 V
Vgs(最大值): 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 975 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
标准包装: 1

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF7451TRPBF Infineon Technologies ¥11.90000 类似

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型号:CZDM1003N BK

品牌:Central美国中央

描述:MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223

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