库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): | 1.2 mA @ 10 V |
| 漏极电流 (Id) - 最大值: | 10 mA |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): | 180 mV @ 1 µA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4pF @ 10V |
| 电阻 - RDS(On): | 200 Ohms |
| 功率 - 最大值: | 200 mW |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装: | SMCP |
| 标准包装: | 3,000 |
2SK3666-3-TB-E
型号：2SK3666-3-TB-E
品牌：ON安森美
描述：JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
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货期：1-2天
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