库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.710718 | ￥16.71 |
| 10 | ￥15.019753 | ￥150.20 |
| 100 | ￥12.074115 | ￥1207.41 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TA） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | - |
| 封装/外壳: | - |
| 标准包装: | 3,000 |
STL8N65M2
型号：STL8N65M2
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
库存：0
单价：
| 1+： | ￥16.710718 |
| 10+： | ￥15.019753 |
| 100+： | ￥12.074115 |
| 500+： | ￥9.920174 |
| 1000+： | ￥9.018416 |
| 3000+： | ￥9.018354 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.71