货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥5.060463 | ¥5.06 |
10 | ¥4.335586 | ¥43.36 |
100 | ¥3.235091 | ¥323.51 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Nexperia(安世) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道互补型 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 590mA(Ta),410mA(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 670 毫欧 @ 590mA,4.5V,1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 950mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 1.05nC @ 4.5V,1.2nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 30.3pF @ 15V,43.2pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 285mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-XFDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装: | DFN1010B-6 |
标准包装: | 5,000 |
PMCXB1000UEZ
型号:PMCXB1000UEZ
品牌:Nexperia安世
描述:MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
库存:0
单价:
1+: | ¥5.060463 |
10+: | ¥4.335586 |
100+: | ¥3.235091 |
500+: | ¥2.54182 |
1000+: | ¥1.964131 |
2000+: | ¥1.790832 |
5000+: | ¥1.282883 |
10000+: | ¥1.241504 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.06