1N5407G B0G

制造商编号:
1N5407G B0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
规格说明书:
1N5407G B0G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 800 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 3 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 800 V
不同 Vr、F 时电容: 25pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AD,轴向
供应商器件封装: DO-201AD
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
P300K-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.84000 类似
UF5407-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥4.92000 类似
UF5407-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥7.30000 类似

客服

购物车

1N5407G B0G

型号:1N5407G B0G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00