TPH3208PD

制造商编号:
TPH3208PD
制造商:
Transphorm
描述:
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
规格说明书:
TPH3208PD说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 98.163035 98.16
10 88.687411 886.87

规格参数

属性 参数值
制造商: Transphorm
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 @ 13A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC @ 8 V
Vgs(最大值): ±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 760 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 96W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STP33N60DM2 STMicroelectronics ¥41.93000 类似

客服

购物车

TPH3208PD

型号:TPH3208PD

品牌:Transphorm

描述:GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

库存:0

单价:

1+: ¥98.163035
10+: ¥88.687411

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥98.16