货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥98.163035 | ¥98.16 |
10 | ¥88.687411 | ¥886.87 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Transphorm |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | GaNFET(氮化镓) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 130 毫欧 @ 13A,8V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.6V @ 300µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 14 nC @ 8 V |
Vgs(最大值): | ±18V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 760 pF @ 400 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 96W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220AB |
封装/外壳: | TO-220-3 |
标准包装: | 50 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STP33N60DM2 | STMicroelectronics | ¥41.93000 | 类似 |
TPH3208PD
型号:TPH3208PD
品牌:Transphorm
描述:GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
库存:0
单价:
1+: | ¥98.163035 |
10+: | ¥88.687411 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥98.16