TK40E10K3,S1X(S

制造商编号:
TK40E10K3,S1X(S
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
规格说明书:
TK40E10K3,S1X(S说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: U-MOSIV
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 84 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4000 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IPP126N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ¥13.44000 类似
FDP150N10A-F102 onsemi ¥16.74000 类似

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TK40E10K3,S1X(S

型号:TK40E10K3,S1X(S

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3

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