IRFH4255DTRPBF

制造商编号:
IRFH4255DTRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
规格说明书:
IRFH4255DTRPBF说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A,105A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1314pF @ 13V
功率 - 最大值: 31W,38W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PQFN(5x6)
标准包装: 4,000

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IRFH4255DTRPBF

型号:IRFH4255DTRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

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