货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥81.933137 | ¥81.93 |
10 | ¥74.038466 | ¥740.38 |
100 | ¥61.295402 | ¥6129.54 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | HiPerFET™, Polar |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 1000 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.05 欧姆 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 80 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4080 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 463W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-247AD(IXFH) |
封装/外壳: | TO-247-3 |
标准包装: | 30 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
APT10090BLLG | Microchip Technology | ¥134.09000 | 类似 |
IXFH12N100P
型号:IXFH12N100P
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
库存:0
单价:
1+: | ¥81.933137 |
10+: | ¥74.038466 |
100+: | ¥61.295402 |
500+: | ¥53.375153 |
1000+: | ¥46.957616 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥81.93