- 制造商编号：
- SQV120N06-4M7L_GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
- 规格说明书：
- SQV120N06-4M7L_GE3说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 500 | ￥17.784257 | ￥8892.13 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 最后售卖 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 230 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 8800 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 250W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-262 |
| 封装/外壳: | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装: | 500 |
SQV120N06-4M7L_GE3
型号：SQV120N06-4M7L_GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
库存：0
单价：
| 500+： | ￥17.784257 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00