APT50GR120JD30

制造商编号:
APT50GR120JD30
制造商:
Microchip微芯
描述:
IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
规格说明书:
APT50GR120JD30说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
20 316.692433 6333.85

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: NPT
配置: 单路
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 84 A
功率 - 最大值: 417 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3.2V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值): 1.1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 5.55 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4
供应商器件封装: SOT-227
标准包装: 1

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APT50GR120JD30

型号:APT50GR120JD30

品牌:Microchip微芯

描述:IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227

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