IXTQ160N085T

制造商编号:
IXTQ160N085T
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 85V 160A TO3P
规格说明书:
IXTQ160N085T说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 85 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 164 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 360W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-3P
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
标准包装: 30

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型号 品牌 参考价格 说明
FQA160N08 onsemi ¥56.83000 类似

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型号:IXTQ160N085T

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 85V 160A TO3P

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