PSMN2R0-30BL,118

制造商编号:
PSMN2R0-30BL,118
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
规格说明书:
PSMN2R0-30BL,118说明书

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货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 20.142383 20.14

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: -
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 117 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6810 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 211W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

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PSMN2R0-30BL,118

型号:PSMN2R0-30BL,118

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

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1+: ¥20.142383

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