FDP2670

制造商编号:
FDP2670
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
规格说明书:
FDP2670说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1320 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 93W(Tc)
工作温度: -65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 400

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STP20NF20 STMicroelectronics ¥20.27000 类似
STP19NF20 STMicroelectronics ¥13.13000 类似
PHP20NQ20T,127 Nexperia USA Inc. ¥17.89000 类似

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FDP2670

型号:FDP2670

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3

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