RGT16NS65DGC9

制造商编号:
RGT16NS65DGC9
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
IGBT
规格说明书:
RGT16NS65DGC9说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 22.243657 22.24
10 19.95588 199.56
100 16.039678 1603.97

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 16 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 24 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,8A
功率 - 最大值: 94 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 21 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 13ns/33ns
测试条件: 400V,8A,10欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 42 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装: TO-262
标准包装: 1,000

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RGT16NS65DGC9

型号:RGT16NS65DGC9

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:IGBT

库存:0

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1+: ¥22.243657
10+: ¥19.95588
100+: ¥16.039678
500+: ¥13.178142
1000+: ¥10.919049
2000+: ¥10.656179

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