库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.91146 | ￥18.91 |
| 3000 | ￥8.634033 | ￥25902.10 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | PowerTrench®, SyncFET™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 211A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.09 毫欧 @ 38A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 65 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 10250 pF @ 15 V |
| FET 功能: | 肖特基二极管（体） |
| 功率耗散（最大值）: | 74W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
FDMS1D4N03S
型号：FDMS1D4N03S
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥18.91146 |
| 3000+： | ￥8.634033 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.91