- 制造商编号：
- IPP80N06S2L07AKSA2
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
- 规格说明书：
- IPP80N06S2L07AKSA2说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥31.133659 | ￥31.13 |
| 10 | ￥27.986723 | ￥279.87 |
| 100 | ￥22.492577 | ￥2249.26 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 130 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3160 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 210W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | PG-TO220-3-1 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TK4R3E06PL,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥10.98000 | 类似 |
| IXTP120N075T2 | IXYS | ¥30.33000 | 类似 |
| PSMN7R6-60PS,127 | Nexperia USA Inc. | ¥15.74000 | 类似 |
IPP80N06S2L07AKSA2
型号：IPP80N06S2L07AKSA2
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥31.133659 |
| 10+： | ￥27.986723 |
| 100+： | ￥22.492577 |
| 500+： | ￥18.479866 |
| 1000+： | ￥17.59988 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥31.13