货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥16.710718 | ¥16.71 |
25 | ¥13.864923 | ¥346.62 |
100 | ¥12.604532 | ¥1260.45 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Microchip(微芯) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 350 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 231mA(Tj) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 3V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 15 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 1mA |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 200 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.6W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-243AA(SOT-89) |
封装/外壳: | TO-243AA |
标准包装: | 2,000 |
TP2435N8-G
型号:TP2435N8-G
品牌:Microchip微芯
描述:MOSFET P-CH 350V 231MA TO243AA
库存:0
单价:
1+: | ¥16.710718 |
25+: | ¥13.864923 |
100+: | ¥12.604532 |
2000+: | ¥12.604581 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.71