SIHB22N60E-GE3

制造商编号:
SIHB22N60E-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
规格说明书:
SIHB22N60E-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 41.155117 41.16
10 37.002304 370.02
100 30.314038 3031.40

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 86 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1920 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 227W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STB21N65M5 STMicroelectronics ¥38.48000 类似
R6024ENJTL Rohm Semiconductor ¥26.65000 类似
STB30N65M5 STMicroelectronics ¥50.46000 类似
R6020ENJTL Rohm Semiconductor ¥21.73000 类似
IPB60R199CPATMA1 Infineon Technologies ¥35.10000 类似

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SIHB22N60E-GE3

型号:SIHB22N60E-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

库存:0

单价:

1+: ¥41.155117
10+: ¥37.002304
100+: ¥30.314038
500+: ¥25.805775
1000+: ¥23.318477

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥41.16