货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1000 | ¥40.069305 | ¥40069.31 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | CoolMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 900 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 15A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 340 毫欧 @ 9.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 94 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2400 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 208W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TO263-3-2 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 1,000 |
IPB90R340C3ATMA2
型号:IPB90R340C3ATMA2
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
库存:0
单价:
1000+: | ¥40.069305 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00