IXFH50N20

制造商编号:
IXFH50N20
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AD
规格说明书:
IXFH50N20说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 107.227108 107.23
10 96.879891 968.80
100 80.205852 8020.59

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™
包装: 管件
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 220 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD(IXFH)
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRFP260PBF Vishay Siliconix ¥52.38000 类似
IRFP260MPBF Infineon Technologies ¥24.88000 类似
APT20M45BVRG WEC ¥65.86333 类似

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IXFH50N20

型号:IXFH50N20

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 200V 50A TO247AD

库存:0

单价:

1+: ¥107.227108
10+: ¥96.879891
100+: ¥80.205852
500+: ¥69.842272
1000+: ¥61.4449

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