货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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3000 | ¥2.193957 | ¥6581.87 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 最后售卖 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 33 毫欧 @ 2A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 7 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | -6V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 500 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | U-WLB1515-9 |
封装/外壳: | 9-UFBGA,WLBGA |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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CSD25202W15T | Texas Instruments | ¥10.29000 | 类似 |
DMP2033UCB9-7
型号:DMP2033UCB9-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
库存:0
单价:
3000+: | ¥2.193957 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00