货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥151.612779 | ¥151.61 |
10 | ¥139.376382 | ¥1393.76 |
100 | ¥117.715052 | ¥11771.51 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | UnitedSiC |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 65A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 12V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 35 毫欧 @ 40A,12V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 6V @ 10mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 51 nC @ 15 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1500 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 242W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-263(D2Pak) |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 800 |
UF3C065030B3
型号:UF3C065030B3
品牌:UnitedSiC
描述:MOSFET N-CH 650V 65A TO263
库存:0
单价:
1+: | ¥151.612779 |
10+: | ¥139.376382 |
100+: | ¥117.715052 |
800+: | ¥104.715804 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥151.61