DMN3112S-7

制造商编号:
DMN3112S-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
规格说明书:
DMN3112S-7说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 57 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 268 pF @ 5 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.4W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AO3404A Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥3.46000 类似
RSR025N03TL Rohm Semiconductor ¥5.07000 类似
AO3406 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥3.30000 类似
AO3424 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥3.69000 类似

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DMN3112S-7

型号:DMN3112S-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

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