IPP60R125P6XKSA1

制造商编号:
IPP60R125P6XKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
规格说明书:
IPP60R125P6XKSA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 55.066637 55.07
10 49.449407 494.49
100 40.513132 4051.31

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolMOS™ P6
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125 毫欧 @ 11.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 960µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2660 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 219W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AOTF42S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥53.45000 类似

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IPP60R125P6XKSA1

型号:IPP60R125P6XKSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3

库存:0

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1+: ¥55.066637
10+: ¥49.449407
100+: ¥40.513132
500+: ¥34.626234

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