货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥16.138774 | ¥16.14 |
10 | ¥14.466459 | ¥144.66 |
100 | ¥11.629615 | ¥1162.96 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7.5A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 35 毫欧 @ 5.9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 30nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1020pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 3.3W |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
标准包装: | 2,500 |
SQ4949EY-T1_GE3
型号:SQ4949EY-T1_GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
库存:0
单价:
1+: | ¥16.138774 |
10+: | ¥14.466459 |
100+: | ¥11.629615 |
500+: | ¥9.55485 |
1000+: | ¥8.189831 |
2500+: | ¥8.189843 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.14