库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.852802 | ￥15.85 |
| 10 | ￥14.179243 | ￥141.79 |
| 100 | ￥11.057174 | ￥1105.72 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | QFET® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 22 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 41 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1540 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 120W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 1,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STP60NF06 | STMicroelectronics | ¥14.21000 | 类似 |
| IRFZ44RPBF | Vishay Siliconix | ¥22.42000 | 类似 |
| PSMN3R0-60PS,127 | Nexperia USA Inc. | ¥24.88000 | 类似 |
| IRFZ44VPBF | Infineon Technologies | ¥11.98000 | 类似 |
| IRLZ44PBF | Vishay Siliconix | ¥23.12000 | 类似 |
FQP50N06
型号：FQP50N06
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥15.852802 |
| 10+： | ￥14.179243 |
| 100+： | ￥11.057174 |
| 500+： | ￥9.134148 |
| 1000+： | ￥7.6482 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.85