TSM3N90CH C5G

制造商编号:
TSM3N90CH C5G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251
规格说明书:
TSM3N90CH C5G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 15.56683 15.57
10 13.941762 139.42

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.1 欧姆 @ 1.25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 748 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 94W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-251(IPAK)
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装: 3,750

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TSM3N90CH C5G

型号:TSM3N90CH C5G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251

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