库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1500 | ￥7.315589 | ￥10973.38 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| 漏源电压（Vdss）: | 80V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 295mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 26pF @ 20V |
| 功率 - 最大值: | 250mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道） |
| 标准包装: | 1,500 |
NTMFD6H852NLT1G
型号：NTMFD6H852NLT1G
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 80V 8DFN
库存：0
单价：
| 1500+： | ￥7.315589 |
货期：1-2天
+ -
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