货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | NXP(恩智浦) |
系列: | TrenchMOS™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3.2 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.8V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 258 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 15300 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 306W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220AB |
封装/外壳: | TO-220-3 |
标准包装: | 50 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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STP190N55LF3 | STMicroelectronics | ¥44.77000 | 类似 |
BUK653R2-55C,127
型号:BUK653R2-55C,127
品牌:NXP恩智浦
描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00