库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 盒
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2 | ￥1323.143219 | ￥2646.29 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | - |
| 包装: | 盒 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | NPT |
| 配置: | 半桥 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 180 A |
| 功率 - 最大值: | 760 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.7V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 7.5 mA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 6.6 nF @ 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 无 |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | Y3-DCB |
| 供应商器件封装: | Y3-DCB |
| 标准包装: | 2 |
MII150-12A4
型号：MII150-12A4
品牌：IXYS艾赛斯
描述：IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB
库存：0
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| 2+： | ￥1323.143219 |
货期：1-2天
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