IRF7353D1PBF

制造商编号:
IRF7353D1PBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
规格说明书:
IRF7353D1PBF说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: FETKY™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 32 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 650 pF @ 25 V
FET 功能: 肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值): 2W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 95

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IRF7353D1PBF

型号:IRF7353D1PBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

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