FQPF19N10

制造商编号:
FQPF19N10
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
规格说明书:
FQPF19N10说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 14.037501 14.04
10 12.536769 125.37
100 9.773905 977.39

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: QFET®
包装: 管件
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 @ 6.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 780 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 38W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FQP33N10 onsemi ¥13.52000 MFR Recommended

客服

购物车

FQPF19N10

型号:FQPF19N10

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F

库存:0

单价:

1+: ¥14.037501
10+: ¥12.536769
100+: ¥9.773905
500+: ¥8.074435

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥14.04