APT10SCD65KCT

制造商编号:
APT10SCD65KCT
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
DIODE SILICON 650V 17A TO220
规格说明书:
APT10SCD65KCT说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
二极管配置: 1 对共阴极
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 17A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 10 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA @ 650 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
标准包装: 50

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APT10SCD65KCT

型号:APT10SCD65KCT

品牌:Microsemi美高森美

描述:DIODE SILICON 650V 17A TO220

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