货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4.873959 | ¥4.87 |
10 | ¥3.952632 | ¥39.53 |
100 | ¥2.688884 | ¥268.89 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® Gen III |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12.6A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 19 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 42 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1500 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 4.8W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装: | 2,500 |
SI4435FDY-T1-GE3
型号:SI4435FDY-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
库存:0
单价:
1+: | ¥4.873959 |
10+: | ¥3.952632 |
100+: | ¥2.688884 |
500+: | ¥2.01665 |
1000+: | ¥1.512494 |
2500+: | ¥1.386443 |
5000+: | ¥1.302416 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.87