IGD15N65T6ARMA1

制造商编号:
IGD15N65T6ARMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
IGD15N65T6ARMA1
规格说明书:
IGD15N65T6ARMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 12.980647 12.98
10 11.573167 115.73
100 9.024658 902.47

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: TrenchStop™
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 不适用于新设计
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 57.5 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V @ 15V,11.5A
功率 - 最大值: 100 W
开关能量: 230µJ(开),110µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 37 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/117ns
测试条件: 400V,11.5A,47 欧姆,15V
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
标准包装: 3,000

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IGD15N65T6ARMA1

型号:IGD15N65T6ARMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:IGD15N65T6ARMA1

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1+: ¥12.980647
10+: ¥11.573167
100+: ¥9.024658
500+: ¥7.454845
1000+: ¥6.823668
3000+: ¥6.823668

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