库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.400768 | ￥8.40 |
| 10 | ￥7.40567 | ￥74.06 |
| 100 | ￥5.675933 | ￥567.59 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | U-MOSIX-H |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.6 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.1V @ 300µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 41 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3900 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 104W（Tc） |
| 工作温度: | 175°C |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-TSON Advance（3.1x3.1） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 标准包装: | 5,000 |
TPN1R603PL,L1Q
型号：TPN1R603PL,L1Q
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
库存：0
单价：
| 1+： | ￥8.400768 |
| 10+： | ￥7.40567 |
| 100+： | ￥5.675933 |
| 500+： | ￥4.487127 |
| 1000+： | ￥3.589704 |
| 2000+： | ￥3.253172 |
| 5000+： | ￥3.059407 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.40