库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥64.356158 | ￥64.36 |
| 10 | ￥57.807397 | ￥578.07 |
| 100 | ￥47.359841 | ￥4735.98 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 64 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 3.9mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 82 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3745 pF @ 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 260W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 4-TDFN（8x8） |
| 封装/外壳: | 4-PowerTSFN |
| 标准包装: | 3,000 |
NTMT064N65S3H
型号：NTMT064N65S3H
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥64.356158 |
| 10+： | ￥57.807397 |
| 100+： | ￥47.359841 |
| 500+： | ￥40.316448 |
| 1000+： | ￥38.638388 |
| 3000+： | ￥38.63845 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥64.36