1N5221BDO35E3

制造商编号:
1N5221BDO35E3
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
规格说明书:
1N5221BDO35E3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: Digi-Key 停止提供
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 2.4 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装: DO-35
标准包装: 10,000

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1N5221BDO35E3

型号:1N5221BDO35E3

品牌:Microsemi美高森美

描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

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