1N5239B A0G

制造商编号:
1N5239B A0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
规格说明书:
1N5239B A0G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 带盒(TB)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 带盒(TB)
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 9.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: 100°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装: DO-35
标准包装: 5,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BZX79C10 onsemi ¥1.77000 类似
1N4104 TR PBFREE Central Semiconductor Corp ¥5.07000 类似
BZX79C9V1 onsemi ¥1.77000 类似
1N5239B onsemi ¥1.46000 直接
TZX10A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.61000 类似

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1N5239B A0G

型号:1N5239B A0G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35

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