SP8M70TB1

制造商编号:
SP8M70TB1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
规格说明书:
SP8M70TB1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 250V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A,2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.63 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180pF @ 25V
功率 - 最大值: 650mW
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOP
标准包装: 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
TC1550TG-G Microchip Technology ¥55.37000 类似

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品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC

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