库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.854607 | ￥17.85 |
| 2500 | ￥10.10981 | ￥25274.52 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Renesas(瑞萨) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 96 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3500 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1W（Ta），102W（Tc） |
| 工作温度: | 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-HSON |
| 封装/外壳: | 8-SMD，扁平引线裸焊盘 |
| 标准包装: | 2,500 |
NP50P03YDG-E1-AY
型号：NP50P03YDG-E1-AY
品牌：Renesas瑞萨
描述：MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
库存：0
单价：
| 1+： | ￥17.854607 |
| 2500+： | ￥10.10981 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.85