货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4.548041 | ¥4.55 |
10 | ¥3.711384 | ¥37.11 |
100 | ¥2.526272 | ¥252.63 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 72 毫欧 @ 2.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 3.6nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 260pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 1W |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装: | 8-TSST |
标准包装: | 3,000 |
TT8M1TR
型号:TT8M1TR
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
库存:0
单价:
1+: | ¥4.548041 |
10+: | ¥3.711384 |
100+: | ¥2.526272 |
500+: | ¥1.894994 |
1000+: | ¥1.421246 |
3000+: | ¥1.302814 |
6000+: | ¥1.223856 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.55