IDP09E120

制造商编号:
IDP09E120
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
DIODE GEN PURP 1.2KV 23A TO220-2
规格说明书:
IDP09E120说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 23A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.15 V @ 9 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 140 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: PG-TO220-2-2
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IDP12E120XKSA1 Infineon Technologies ¥17.82000 直接

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IDP09E120

型号:IDP09E120

品牌:Infineon英飞凌

描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 23A TO220-2

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