货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4.302015 | ¥4.30 |
10 | ¥3.207861 | ¥32.08 |
100 | ¥1.995588 | ¥199.56 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 12 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 260 毫欧 @ 1.3A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 2.4 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 290 pF @ 6 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 800mW(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TUMT3 |
封装/外壳: | 3-SMD,扁平引线 |
标准包装: | 3,000 |
RZF013P01TL
型号:RZF013P01TL
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
库存:0
单价:
1+: | ¥4.302015 |
10+: | ¥3.207861 |
100+: | ¥1.995588 |
500+: | ¥1.365455 |
1000+: | ¥1.050338 |
3000+: | ¥0.945312 |
6000+: | ¥0.892792 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.30