货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | CoolSiC™+ |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
二极管类型: | 碳化硅肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 650 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 5A(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.8 V @ 5 A |
速度: | 无恢复时间 > 500mA(Io) |
反向恢复时间 (trr): | 0 ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 830 µA @ 650 V |
不同 Vr、F 时电容: | 160pF @ 1V,1MHz |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
供应商器件封装: | PG-TO263-2 |
工作温度 - 结: | -55°C ~ 175°C |
标准包装: | 1,000 |
IDK05G65C5XTMA1
型号:IDK05G65C5XTMA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:DIODE SCHOTTKY 650V 5A TO263-2
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00