库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.383936 | ￥19.38 |
| 10 | ￥17.397051 | ￥173.97 |
| 100 | ￥13.984782 | ￥1398.48 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | MDmesh™ DM2 |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 420 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 16.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 614 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 25W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220FP |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 标准包装: | 1,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| R6012FNX | Rohm Semiconductor | ¥38.09000 | 类似 |
| R6010ANX | Rohm Semiconductor | ¥26.65000 | 类似 |
| IPA60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | ¥10.67000 | 类似 |
| R6009ENX | Rohm Semiconductor | ¥24.88000 | 类似 |
| SPA11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | ¥29.11000 | 类似 |
STF11N60DM2
型号：STF11N60DM2
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
库存：0
单价：
| 1+： | ￥19.383936 |
| 10+： | ￥17.397051 |
| 100+： | ￥13.984782 |
| 500+： | ￥11.489962 |
| 1000+： | ￥10.445343 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.38