库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.202547 | ￥4.20 |
| 10 | ￥3.619412 | ￥36.19 |
| 100 | ￥2.703307 | ￥270.33 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 16 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 39 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 282 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 650mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | X2-DFN2015-3 |
| 封装/外壳: | 3-XDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
DMG3415UFY4Q-7
型号：DMG3415UFY4Q-7
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.202547 |
| 10+： | ￥3.619412 |
| 100+： | ￥2.703307 |
| 500+： | ￥2.123679 |
| 1000+： | ￥1.640983 |
| 3000+： | ￥1.496219 |
| 6000+： | ￥1.399684 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.20